Пам'ять DDR3 4GB 1333 MHz Team (TED34G1333C901 / TED34GM1333C901) TED34G1333C901/TED34GM1333C901

Пам'ять

DDR3 4GB 1600 MHz MICRON (CT51264BD160B)

допоможе прискорити обмін даними на комп'ютері. Оперативна пам'ять незамінна для виконання різних завдань, таких як: робота з об'ємними текстами, таблицями, графіками; архівування, шифрування, робота з базами даних; комп'ютерні ігри, а також інші завдання. DDR3 SDRAM - це третє покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом і подвоєною швидкістю передачі даних.

Переваги в порівнянні з DDR2:
- більш висока пропускна здатність (до 19200 МБ/ с),
- знижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення),
- поліпшене енергозбереження.

Дані модулі пам'яті створені на базі новітнього покоління технології DDR. Як і всі модулі пам'яті компанії, модулі пам'яті DDR3 спроектовані і створені таким чином, щоб повністю відповідати всім вимогам ентузіастів в області розгону ПК. Модулі пам'яті DDR3 забезпечують більш високу швидкість, більш низький час затримки, більш високу пропускну здатність і зменшене енергоспоживання в порівнянні з модулями пам'яті DDR2.

DDR3 SDRAM - це третє покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних.

Переваги в порівнянні з DDR2:
- вища пропускна спроможність (до 19200 МБ/с);
- понижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення);
- менше енергоспоживання та поліпшене енергозбереження.

Модуль пам'яті DDR3 4096Mb Kingston (KVR1333D3N9/4G) має параметр CL9, що означає величину латентності, рівну 9. CAS-латентність - це перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину. Від цього параметра найбільше залежить продуктивність пам'яті, оскільки тільки він затримує доступ до даних, чим менше затримка CL, тим раніше дані поступають в пам'ять.

DDR3 4096Mb Kingston (KVR1333D3N9/4G) - це один модуль пам'яті на 4Гб. Пам'ять працює з тактовою частотою 1333MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 10600 МБ/с.